文献

J-GLOBAL ID：201002216504738944   整理番号：10A0224723

欠陥形成によるグラフェンの伝導率エンジニアリング

Conductivity engineering of graphene by defect formation

著者 (14件)： JAFRI S H M (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  CARVA K (Charles Univ., Prague, CZE) ,  CARVA K (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  WIDENKVIST E (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  BLOM T (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  SANYAL B (Charles Univ., Prague, CZE) ,  FRANSSON J (Charles Univ., Prague, CZE) ,  ERIKSSON O (Charles Univ., Prague, CZE) ,  JANSSON U (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  GRENNBERG H (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  KARIS O (Charles Univ., Prague, CZE) ,  QUINLAN R A (Coll. of William and Mary, VA, USA) ,  HOLLOWAY B C (Luna Innovations Inc., VA, USA) ,  LEIFER K (Uppsala Univ., Uppsala, SWE)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 4  ページ： 045404,1-8  発行年： 2010年02月03日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの伝導率が,空格子点欠陥濃度を高くすると,1桁以上も上昇することを示した。輸送のシミュレーションとカーボンナノシートの実験により,欠陥を導入後,伝導率が大きく増大することを示した。欠陥によって中間ギャップ状態が発生し,その結果,空格子点欠陥の周りに金属性挙動を見せる領域が発生するとして,この結果を説明した。

シソーラス用語： *空格子点 ,  *電気伝導率 ,  金属性 ,  欠陥準位 ,  バンドギャップ ,  電流電圧特性 ,  電気抵抗率 ,  状態密度 ,  *グラフェン

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 欠陥形成 ,  グラフェン ,  伝導率 ,  エンジニアリング