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{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:201002216793894762   整理番号:10A1490157

発熱性再酸化アニーリングを用いた二重イオン注入(0001)4H-SiC MOSFETの作製

Fabrication of double implanted (0001) 4H-SiC MOSFETs by using pyrogenic re-oxidation annealing
著者 (6件):
資料名:
巻: 457-460  ページ: 1397-1400  発行年: 2004年 
JST資料番号: O6090A  ISSN: 0255-5476  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: その他 (ZZZ)  言語: 英語 (EN)

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