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J-GLOBAL ID：201002216872150736   整理番号：10A1151594

高密度,高速I/Oのための全ディジタルCDR

All-Digital CDR for High-Density, High-Speed I/O

著者 (2件)： LOH Matthew (California Inst. Technol., CA, USA) ,  EMAMI-NEYESTANAK Azita (California Inst. Technol., CA, USA)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2010  ページ： 119-120  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0767A  ISSN： 2158-5601  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドリンクはソース同期の傾向にあるが,クロックとデータパス間の遅延が時間で変化し,レシーバでの再同期が必要になる。データレートが増加するとデータパス間のミスマッチが大きくなり,パーピンの位相整合が必要になって低電力のCDRシステムが重要になる。ソース同期用の全ディジタルCDRを90nmCMOSで製作した。2クロック相間のピンポン動作による位相整合技術を使用した。CDRの面積は0.234mm²で消費電力は6Gb/sの時16.6mWである。PRBS-7入力でBERは<10^-13である。本CDRシステムはパーピン同期を必要とする高速I/Oに適している。

シソーラス用語： 信号再生 ,  *ディジタル通信 ,  伝送速度 ,  位相整合 ,  半導体プロセス ,  誤り率 ,  *半導体集積回路
準シソーラス用語： BER【誤り率】 ,  *CDR【デジタル通信】 ,  CMOSプロセス ,  データレート

分類 (2件)： 通信方式一般  (ND07010E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高密度 ,  ディジタル ,  CDR