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J-GLOBAL ID：201002217029264980   整理番号：10A0048971

選択化学湿式エッチングを用いて作製したm面GaN系青色超発光ダイオード

m-Plane GaN-Based Blue Superluminescent Diodes Fabricated Using Selective Chemical Wet Etching

著者 (9件)： HARDY Matthew T. (Univ. California, CA, USA) ,  KELCHNER Kathryn M. (Univ. California, CA, USA) ,  LIN You-Da (Univ. California, CA, USA) ,  HSU Po Shan (Univ. California, CA, USA) ,  FUJITO Kenji (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  OHTA Hiroaki (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK James S. (Univ. California, CA, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 12  ページ： 121004.1-121004.3  発行年： 2009年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非対称な±cファセットの化学的性質を利用してm面GaN系青色超発光ダイオードを実証した。c軸導波路に沿った光帰還を防ぐための非反射性の-c平面ファセットはKOH湿式エッチングにより作製した。KOHは劈開した-cファセットを選択エッチし,+cファセットをエッチングせずに六角形ピラミッドを形成した。ピーク波長は439nm,FWHMは315mA,+cファセットの外で測定した出力パワーは5mWであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化学的性質 ,  青 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *発光ダイオード ,  *エッチング ,  ファセット ,  光導波路 ,  角錐 ,  発光スペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  *ウェットエッチング
準シソーラス用語： 超発光ダイオード ,  *湿式エッチング ,  選択エッチング

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (28件)：

• DUTTA, N. IEEE J. Quantum Electron. 1983, 19, 496
• SCHMITT, J. M. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 1999, 5, 1205
• JOHNSTON, R. S. Proc. SPIE. 1995, 2465, 2
• LEE, T. P. IEEE J. Quantum Electron. 1973, 9, 820
• KAMINOW, I. IEEE J. Quantum Electron. 1983, 19, 78

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学 ,  湿式エッチング ,  作製 ,  GaN ,  青色 ,  発光ダイオード