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J-GLOBAL ID：201002217031767077   整理番号：10A1615520

CMOS論理素子以降用低電圧トンネルトランジスタ

Low-Voltage Tunnel Transistors for Beyond CMOS Logic

著者 (2件)： SEABAUGH Alan C. (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  ZHANG Qin (Univ. Notre Dame, IN, USA)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 98  号： 12  ページ： 2095-2110  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子システムの性能向上のため,急峻なサブしきい値振幅トランジスタについて調べた。特に,起源,金属-酸化膜-半導体電界効果型トランジスタFET(MOSFET)との実験的/理論的電流性能比較,基本的電流輸送理論,設計トレードオフおよび基本課題を含む,トンネル電界効果型トランジスタ(TFET)の開発の進歩について概観した。TFETは,サブしきい値振幅を大幅に低減することにより,電源電圧と消費電力を下げる可能性をもつ素子であることを示した。狭バンドギャップ材料と捻れ形バンドギャップヘテロ接合を用いて,100μA/μm以上の高オン電流を予測した。トンネルトランジスタの特性を把握し,可能性を評価するため,理論,モデルと推測は実験検証を必要とした。主要な技術課題は,ナノスケールIII-V系トランジスタの先端プロセス(ゲート整合,低界面トラップ密度ゲート積層,正確で急峻なトンネル接合および低抵抗コンタクト)の開発であることを示した。

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  論理素子 ,  *トンネル効果 ,  *MOSFET ,  電圧 ,  価電子バンド ,  *伝導バンド ,  電流電圧特性 ,  *ナノ構造 ,  単一層 ,  グラファイト ,  バンドギャップ ,  Zener効果 ,  技術展望 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 低電圧 ,  ナノリボン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  論理素子 ,  低電圧 ,  トンネルトランジスタ