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J-GLOBAL ID：201002217055665933   整理番号：10A1006244

スパークプラズマ焼結MgB₂の臨界電流密度のC₆₀添加による改善

Improvement of the critical current density of spark plasma sintered MgB₂ by C₆₀ addition

著者 (7件)： MIU L (National Inst. of Materials Physics, Bucharest-Magurele, ROM) ,  ALDICA G (National Inst. of Materials Physics, Bucharest-Magurele, ROM) ,  BADICA P (National Inst. of Materials Physics, Bucharest-Magurele, ROM) ,  BADICA P (Univ. Mainz, Mainz, DEU) ,  IVAN I (National Inst. of Materials Physics, Bucharest-Magurele, ROM) ,  MIU D (National Inst. of Laser, Plasma, and Radiation Physics, Bucharest-Magurele, ROM) ,  JAKOB G (Univ. Mainz, Mainz, DEU)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 23  号： 9  ページ： 095002,1-5  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパークプラズマ焼結(SPS)により得たMgB₂バルク試料の超伝導パラメータに及ぼすフラーレン(C₆₀)添加効果を調べた。1.5wt%C₆₀の添加の場合,臨界温度の低下は数Kである一方,磁気的に求めた臨界電流密度の増大はT=10K,H=7Tにおいてほぼ一桁も増大した。この結果は従来法で作製したMgB₂/C₆₀線材について報告されているものとは異なり,SPS法によるMgB₂試料へのC₆₀の添加ではCによるBの置換が生じ,H_c2が増大したためであると考えられる。理由は,磁化の緩和によれば,低温における増大を説明するようなピン止め機構の発生はないからである。

シソーラス用語： *ホウ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *超伝導材料 ,  *臨界電流密度 ,  *フラーレンC60 ,  *放電焼結 ,  超伝導 ,  臨界温度 ,  臨界磁場 ,  磁化 ,  磁気緩和 ,  磁束ピン止め ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  *添加物効果 ,  *放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： *スパークプラズマ焼結 ,  *ホウ化マグネシウム ,  上部臨界磁場

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパークプラズマ焼結 ,  MgB2 ,  臨界電流密度 ,  C60