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J-GLOBAL ID：201002217250870355   整理番号：10A0942965

ソース/ドレイン電極のポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(4-スチレンスルホナート)被覆の導入による改良されたn-型ボトム-コンタクト有機トランジスタ

Improved n-type bottom-contact organic transistors by introducing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(4-styrene sulfonate) coating on the source/drain electrodes

著者 (6件)： HONG Kipyo (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR) ,  KIM Se Hyun (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR) ,  YANG Chanwoo (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR) ,  JANG Jaeyoung (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR) ,  CHA Hyojung (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR) ,  PARK Chan Eon (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 10  ページ： 103304  発行年： 2010年09月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金ソース/ドレイン(S/D)電極にポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(4-スチレンスルホナート)被覆を適用し,それでデバイスの接触抵抗を減らすことにより,電子移動度を0.003から0.101 cm²/Vsに増加させて,N,N^′-ジトリデシル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(PTCDI-C13)のn型電界効果トランジスタのデバイス性能を改良させた。結晶性と電子構造の研究から,改良されたデバイス性能は,電極とチャネル間の界面におけるPEDOT:PSS被覆の S/D電極上のPTCDI-C13の高い結晶度から生じたことを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ポリエチレンジオキシチオフェン ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  *接触抵抗 ,  *キャリア移動度 ,  *被覆 ,  金電極 ,  電極 ,  *ソース【半導体】 ,  *ドレイン【半導体】 ,  イミド ,  *FET【トランジスタ】 ,  結晶度
準シソーラス用語： PSS【高分子】 ,  *電子移動度 ,  ソース電極 ,  ドレイン電極 ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 2,9-ビストリデシルアントラ[2,1,9-def:6,5,10-d′e′f′]ジイソキノリン-1,3,8,10(2H,9H)-テトラオン

タイトルに関連する用語 (5件)： ソース ,  ドレイン ,  ボトム ,  コンタクト ,  有機トランジスタ