文献

J-GLOBAL ID：201002217269039207   整理番号：10A1528390

固有ゲート-バルク容量を用いた深サブミクロンRF MOSFETのソース/ドレイン重なり及び空乏長さに関するRF抽出方法

RF extraction method for source/drain overlap and depletion length of deep-submicron RF MOSFETs using intrinsic gate-bulk capacitance

著者 (4件)： KIM J.-Y. (Hankuk Univ. Foreign Studies, Kyungki-do, KOR) ,  KO B.-H. (Hankuk Univ. Foreign Studies, Kyungki-do, KOR) ,  CHOI M.-K. (Hankuk Univ. Foreign Studies, Kyungki-do, KOR) ,  LEE S. (Hankuk Univ. Foreign Studies, Kyungki-do, KOR)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 46  号： 23  ページ： 1566-1568  発行年： 2010年11月11日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sパラメータからのチャネル面積の直接的決定を用いたソース/ドレイン重なり及び空乏長さを引き出す新しいRF法を提案し,従来のC-V法のエラーを除去した。サブミクロンRFマルチフィンガーMOSFETにおいて,ソース/ドレイン重なり及び空乏長さ抽出に及ぼす外部チャネル面積効果は,ゲート-ソース電圧低下とともに増大した。この新しい方法は,幅の狭い短チャネルRF MOSFETにおけるソース/ドレイン重なり及び空乏長さの引き出し精度を改善した。

シソーラス用語： ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  ゲート【半導体】 ,  *サブミクロン加工 ,  *MOSFET ,  *空乏層 ,  S行列 ,  短チャネル効果 ,  静電容量 ,  *容量電圧特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 固有 ,  ゲート ,  バルク ,  RF ,  MOSFET ,  ソース ,  ドレイン ,  重なり