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J-GLOBAL ID：201002217287157470   整理番号：10A0136018

Sr₄Bi₄Ti₇O₂₄の合成,構造,及び電気的挙動

Synthesis, structure, and electrical behavior of Sr₄Bi₄Ti₇O₂₄

著者 (10件)： ZURBUCHEN M. A. (Microelectronics Technol. Dep., The Aerospace Corp., El Segundo, California 90245, USA) ,  SHERMAN V. O. (Laboratorie de ceramique, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  TAGANTSEV A. K. (Laboratorie de ceramique, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  SCHUBERT J. (IBN1-IT and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Juelich GmbH, 52425 Juelich, DEU) ,  HAWLEY M. E. (Materials Sci. and Technol. Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA) ,  FONG D. D. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  STREIFFER S. K. (Center for Nanoscale Materials, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  JIA Y. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  TIAN W. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  SCHLOM D. G. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 2  ページ： 024106  発行年： 2010年01月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n=7のAurivillius相でc=6.44nmのSr₄Bi₄Ti₇O₂₄をエピタキシャル(001)配向膜として合成した。この相とその純度をX線回折及び透過電子顕微鏡により確認した。この材料は(001)面方位でP_r=5.3μC/cm²の強誘電体で,常誘電-強誘電転移温度はT_C=324Kであった。リラクサ挙動に関するいくつかの証拠が観測された。そのような挙動はSr_n-1Bi₂Ti_nO_3n+3Aurivillius相には不調和でドープしたSrTiO₃のバルク挙動に近く,これら層状化合物の層間弾性相互作用に対する空間的限界を意味している。この薄膜上の交差指コンデンサからのデータの解釈に対する有限要素解析についても記述した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *チタン酸塩 ,  相 ,  エピタクシー ,  誘電体薄膜 ,  残留分極 ,  Curie温度 ,  リラクサ ,  有限要素法 ,  電極 ,  薄膜コンデンサ ,  計算機シミュレーション ,  誘電率 ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： Aurivillius相 ,  交差指電極

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (1件)： 挙動