文献

J-GLOBAL ID：201002217339366723   整理番号：10A0174532

酸化物ナノワイヤの製造の局面

Manufacturing aspects of oxide nanowires

著者 (2件)： SEKHAR Praveen K. (Nanomaterials and Nanomanufacturing Res. Center, Dep. of Electrical Engineering, Univ. of South Florida, 4202 E ...) ,  BHANSALI Shekhar (Nanomaterials and Nanomanufacturing Res. Center, Dep. of Electrical Engineering, Univ. of South Florida, 4202 E ...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 64  号： 6  ページ： 729-732  発行年： 2010年03月31日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造体の大規模製造の局面を探査すると,実験室ベースの研究から商品への移行が可能になる。いくつかの一次元ナノ構造体の中で,酸化物のナノ材料は,エネルギー収穫,光通信学,およびバイオセンシングなどの,さまざまな利用分野がある。この記事では,金属薄膜触媒の作用で,シリコン(Si)の上に,ボトムアップ成長で,シリカナノワイヤを大規模製造した局面を詳しく述べる。この研究では,(a)加熱時間を変えてナノワイヤの核生成を研究して得られた成長のモデル,(b)成長の前後のSi基板の重さの差によるナノワイヤの成長速度の推定,(c)ナノワイヤ成長のためのSi基板の再使用の可能性,などを報告する。シリカナノワイヤは,開管炉の中でPdコーティングされたSi基材に,1100°Cで,Arを搬送ガスとし,Si支持ウエハーを使用して成長できることがわかった。ナノワイヤの核は,大規模製造に向いた,気液固(VLS)成長と酸化物支援成長(OAG)の両メカニズムの組み合わせで進行した。SiO蒸気の役割が,ワイヤの成長に重要であることがわかった。さらに,成長速度の見積りで,5種類の異なった成長様式が特定された。実験観測によると,Si基板は1回使用後は再使用できなかった。これは,触媒が失われるためである。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  VLS成長 ,  結晶成長 ,  成長速度 ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  ケイ素基板 ,  酸化物支援成長

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 酸化物 ,  ナノワイヤ