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J-GLOBAL ID：201002218079227950   整理番号：10A1065730

超高感度ドーパミン検出用CMOS開放ゲートイオン高感度電界効果型トランジスタ(FET)

CMOS Open-Gate Ion-Sensitive Field-Effect Transistors for Ultrasensitive Dopamine Detection

著者 (3件)： LI Dong-Che (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  YANG Po-Hung (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LU Michael S.-C. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 10  ページ： 2761-2767  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 感知目的用に表面官能化と生体分子不動化のためゲート酸化薄膜を露出するため,湿式エッチングプロセスを用いることにより,実時間超高感度ドーパミン(DA)検出用CMOS開放ゲートイオン高感度電界効果型トランジスタ(ISFET)を作製することに成功した。測定した電流値は,4-カルボキシフェニルボロン酸とDA分子の結合から生じた負電荷により増した。感知界面としてのゲート酸化薄膜は,その検出限度を顕著に向上し,ナノワイヤ系FET(NWFET)と同等かまたは優れていた。フェムトモル範囲のDA検出を実現することに成功し,イオン高感度NWFETとともに,CMOS技術もまた実時間超高感度検出を得ることができることを示した。良好な整合性をもつ自己発振型読取り集積回路を用いて,ISFET電流をデジタル出力に変換することにより,複数センサーの出力応答を測定した結果,センサー集積化用CMOS化方法の利点と低コストの治療時点生体感知応用への可能性を示した。

シソーラス用語： 酸化膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  エッチング ,  半導体プロセス ,  CMOS構造 ,  改変 ,  官能化 ,  表面改質 ,  ゲート【半導体】 ,  検出 ,  電流電圧特性 ,  自励発振 ,  カテコールアミン ,  第一アミン ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  ゲート酸化膜 ,  固定化 ,  電界効果形トランジスタ ,  表面官能化 ,  *分子検出

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ドーパミン

タイトルに関連する用語 (7件)： 高感度 ,  ドーパミン ,  CMOS ,  ゲート ,  イオン ,  電界効果型トランジスタ ,  FET