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J-GLOBAL ID：201002218379816647   整理番号：10A0373968

GaNのn⁺nn⁺ダイオードにおける光学フォノン放出によって支援されるテラヘルツ域の電流振動:モンテカルロシミュレーション

Terahertz current oscillations assisted by optical phonon emission in GaN n⁺nn⁺ diodes: Monte Carlo simulations

著者 (3件)： INIGUEZ-DE-LA-TORRE A. (Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s/n, 37008 Salamanca, ESP) ,  MATEOS J. (Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s/n, 37008 Salamanca, ESP) ,  GONZALEZ T. (Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s/n, 37008 Salamanca, ESP)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 5  ページ： 053707  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ある条件の下で,n⁺nn⁺ダイオードにおいて起こるキャリアの流れに関係するプラズマ不安定性によって電流の振動が発生する。光学フォノン支援の過渡共鳴として知られている現象の起源は,ダイオードの活性領域に沿って走る電子による連続的な光学フォノン放出の間の走行時間に関係する振動数によって特徴づけられる。モンテカルロシミュレーションの方法によって,GaNのn⁺nn⁺ダイオードにおける電流振動が観測される可能性を解析した。印加電圧,温度,ドーピング量,活性n領域の長さなどに関して,このような機構の発生する最適条件を研究した。シミュレーションによる結果から,テラヘルツ領域における電流振動が非常に低い温度で発生することが分かった。更に,印加電圧およびn領域の長さを適当に選ぶことによってある程度の調整が可能であり,n⁺nn⁺ダイオードのn領域におけるプラズマ振動数に近い振動数を得ることができる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *NN接合 ,  *接合ダイオード ,  フォノン ,  電磁波 ,  *電気振動 ,  モンテカルロ法 ,  計算機シミュレーション ,  プラズマ不安定性 ,  過渡現象 ,  共鳴 ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  不純物濃度 ,  長さ ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： 光学フォノン ,  フォノン放出 ,  テラヘルツ ,  *電流振動

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  ダイオード ,  光学フォノン ,  放出 ,  支援 ,  テラヘルツ ,  電流振動 ,  モンテカルロシミュレーション