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J-GLOBAL ID：201002218473131720   整理番号：10A0388360

Pd₄Sのパターン形成合成:化学的耐性の電極及び導電性エッチマスク

Patterned Synthesis of Pd₄S: Chemically Robust Electrodes and Conducting Etch Masks

著者 (2件)： RADHA Boya (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND) ,  KULKARNI Giridhar U. (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 20  号： 6  ページ： 879-884  発行年： 2010年03月24日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルカンチオラト錯体を用いる硫化パラジウム薄膜の一段合成,及び薄膜の構造,電気特性,耐化学性などの特性解析を報告した。公知の方法で調製したパラジウムオクタンチオラートのトルエン溶液をn型Si(111)及びガラス基板に滴下被覆,H₂雰囲気中250°Cまで加熱してPd⁴S薄膜を合成した。また,前駆体薄膜を超微細成形ソフトリソグラフィー又は電子ビームリソグラフィー処理後,同様に加熱してパターン形成Pd₄S薄膜を調製した。X線回折,SEM/TEM,SAEDなどで構造を調べ,TGでチオラートのPd₄Sへの転換を確認した。四端子法で抵抗率の温度依存性を測定し,金属的挙動を示すこと,室温抵抗率は文献値より1桁低いことなどが分かった。強酸及び強アルカリ中での化学組成と電気特性の安定性を調べ,またCuの電着をPd薄膜と比較し,Pd₄Sの触媒性能を明らかにした。Ar又はN₂雰囲気中で加熱するなど,合成法の変更によってPd₁₆S₇及びPdSの薄膜を合成できることも確認した。

シソーラス用語： *硫化物 ,  *パラジウム化合物 ,  *薄膜 ,  *化学合成 ,  *パターン形成 ,  基板 ,  前駆体 ,  スピンコーティング ,  リソグラフィー ,  熱処理 ,  雰囲気 ,  結晶構造 ,  微細構造 ,  *電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  金属性 ,  耐酸性 ,  耐アルカリ性 ,  *電着 ,  銅 ,  *触媒活性 ,  パラジウム錯体
準シソーラス用語： *パターン形成合成

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  電気化学一般  (CB07010N)

物質索引 (1件)： 1-オクタンチオール

タイトルに関連する用語 (6件)： パターン形成 ,  化学 ,  耐性 ,  導電性 ,  エッチ ,  マスク