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J-GLOBAL ID：201002218648275127   整理番号：10A0461268

テラヘルツAC電界内グラフェンの動的電気伝導率

Dynamic Conductivity of Graphene in a Terahertz AC Electric Field

著者 (3件)： LIU S. Y. (Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai, CHN) ,  HORING Norman J. M. (Stevens Inst. Technol., NJ, USA) ,  LEI X. L. (Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai, CHN)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 10  号： 3-4  ページ： 681-685  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規な電子デバイス材料として注目されているグラフェンについて,運動力学方程式アプローチを使って,テラヘルツAC電界内にあるグラフェンの動的電気伝導率を解析した。短距離と長距離のランダム位相近似(RPA)による電子-不純物散乱を考察し,その際,電気伝導率における電子-正孔バンド間コヒーレンスを考慮に入れた。動的電気伝導率は,電界の周波数が臨界値ω₀より小さいと,電子密度の関数となる最小値を持つこと,ω>ω₀においては電子密度の減少と共に単調減少することを見出した。更に電気伝導率は,テラヘルツ領域では周波数により特異な変化を示し,グラフェンを使ったテラヘルツ放射の周波数検出の可能性が示唆された。

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  *グラファイト ,  交流電場 ,  電磁波 ,  *機能材料 ,  ランダム位相近似 ,  *グラフェン ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： テラヘルツ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： テラヘルツ ,  Ac ,  電界 ,  グラフェン ,  電気伝導率