文献

J-GLOBAL ID：201002218649004399   整理番号：10A1330473

閾値電圧ばらつきにおよぼす金属ゲート粒度の影響: フルスケール三次元統計シミュレーション調査

Impact of Metal Gate Granularity on Threshold Voltage Variability: A Full-Scale Three-Dimensional Statistical Simulation Study

著者 (4件)： BROWN Andrew R. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  IDRIS Niza M. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  WATLING Jeremy R. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  ASENOV Asen (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 11  ページ： 1199-1201  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ゲートは自然粒度を有し,high-k界面における各結晶粒の仕事関数はその結晶学的配向に左右される。本稿では,金属ゲート粒度によって誘起する統計的なMOSFET閾値電圧ばらつきについて,フルスケール3D統計シミュレーション調査を提示した。分布形状とばらつき量におよぼす結晶寸法の効果を検討した。金属ゲート粒度単独で,あるいはランダム離散ドーパントやラインエッジ粗さと組み合わせて解析した。閾値電圧ばらつきは粒径に強く左右され,その低減には粒径を最小化する必要がある。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ゲート【半導体】 ,  *電圧 ,  結晶粒度 ,  分散【variance】 ,  仕事関数 ,  分布 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： ラインエッジ粗さ ,  *金属ゲート ,  電圧分布 ,  *閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 閾値電圧 ,  ばらつき ,  金属ゲート ,  粒度 ,  スケール ,  統計 ,  シミュレーション ,  調査