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J-GLOBAL ID：201002218668381268   整理番号：10A0328481

4元ZnCdSeTeナノ細線

Quaternary ZnCdSeTe Nanowires

著者 (8件)： HSIAO C. H. (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHANG S. J. (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WANG S. B. (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHANG S. P. (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHENG Y. C. (Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN) ,  LI T. C. (Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN) ,  LIN W. J. (Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN) ,  HUANG B. R. (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 2  ページ： 798-802  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸気-液体-固体(VLS)機構を用いて酸化Si(100)上に4元ZnCdSeTeナノ細線を成長させた。そのために固体源分子線エピタキシーとAuベースナノ触媒を用いた。電解放出走査型電子顕微鏡法で試料の表面形態を特性評価し,高分解能透過型電子顕微鏡法とX線回折法を用いてナノ細線の結晶学的および構造的性質を評価した。ナノ細線の平均長さおよび平均直径がそれぞれ1.3μmおよび91nmであることを見出した。また,成長した状態のZnCsSeTeナノ細線が立方閃亜鉛鉱方構造と六方ウルツ鉱型構造の混合を示すことを見出した。エネルギー分散X線分光の結果は。このナノ細線の組成比がZn_0.87Cd_0.13Se_0.98Te_0.02であるべきことを示した。これはZn_0.87Cd_0.13Se_0.98Te_0.02の指定した組成比と非常によく一致する。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  化合物半導体 ,  *テルル化物 ,  *セレン化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *カドミウム化合物 ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  直径 ,  長さ ,  化学組成 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *VLS成長
準シソーラス用語： ナノ細線

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (1件)： ナノ細線