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J-GLOBAL ID：201002218690965923   整理番号：10A0831580

原子炉級黒鉛に3MeV H⁺照射により生じた欠陥の特性評価

Characterization of 3 MeV H⁺ irradiation induced defects in nuclear grade graphite

著者 (2件)： KIM Eung-seon ,  KIM Yong-wan
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 150  号： 35-36  ページ： 1633-1636  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *グラファイト ,  水素 ,  1-10MeV ,  イオン照射 ,  *陽電子消滅 ,  *Ramanスペクトル ,  *照射損傷 ,  空格子点 ,  複合欠陥

分類 (4件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  陽電子消滅  (BK16052L) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子炉 ,  黒鉛 ,  欠陥 ,  特性評価