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J-GLOBAL ID：201002218982505982   整理番号：10A0702859

グラフェンナノリボンにおけるE-K関係と低電界移動度の単純かつ効率的モデリング

Simple and efficient modeling of the E-k relationship and low-field mobility in Graphene Nano-Ribbons

著者 (4件)： BRESCIANI Marco (DIEGM, Univ. of Udine, via delle Scienze 208, 33100 Udine, ITA) ,  PALESTRI Pierpaolo (DIEGM, Univ. of Udine, via delle Scienze 208, 33100 Udine, ITA) ,  ESSENI David (DIEGM, Univ. of Udine, via delle Scienze 208, 33100 Udine, ITA) ,  SELMI Luca (DIEGM, Univ. of Udine, via delle Scienze 208, 33100 Udine, ITA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 9  ページ： 1015-1021  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿ではグラフェンナノリボン(GNR)における拡張電子状態の分散関係に対する簡単な解析定式化を提案した。エッジ不整の存在下におけるGNRの強束縛計算による比較によってモデルを検証した。このモデルはおよそ2nmまでの幅を持つGNRに対する半古典的モデル中への封入に好適である。続いてフォノンとエッジラフネス散乱を考慮したモンテカルロシミュレーションを使用し,低電界移動度のリボン幅を理解した。グラフェンシートと比較される狭いリボンで測定した低電界移動度値をもたらす機構は,縮小横方向寸法によって誘発される強いバンド構造改変とエッジとともに増加するフォノン散乱率よる移動度実効質量である。しかしフォノンとエッジによる散乱は絶縁基板上における実験移動度を再現するには不十分で,基板中の遠方極性フォノンの効果はグラフェンベースデバイスにおいて重要でありうることを示唆している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *モデリング ,  *リボン ,  キャリア移動度 ,  強束縛近似 ,  *性質 ,  散乱
準シソーラス用語： *E-K関係 ,  *ナノグラフェン ,  フォノン散乱 ,  モンテカルロシミュレーション

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェンナノリボン ,  電界移動 ,  モデリング