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J-GLOBAL ID：201002218985506890   整理番号：10A0333831

電子および光学センサ応用のためのGaN基板上の高配向ZnOナノワイアーの成長

Growth of Highly Oriented ZnO Nanowires on GaN Substrates for Electronic and Optical Sensor Applications

著者 (5件)： SOOD Ashok K. (Magnolia Optical Technol., Inc., MA, USA) ,  PURI Yash R. (Magnolia Optical Technol., Inc., MA, USA) ,  WANG Zhong L. (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  POLLA Dennis L. (MTO, VA, USA) ,  SOPRANO Martin B. (U.S. Army, AL, USA)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 3  ページ： 1839-1841  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広バンドギャップGaN基板上の高配向ZnOナノワイアーの成長と評価について報告した。p-GaN上に成長させたZnOナノワイアの成長形態と次元制御について調べた。走査電子顕微鏡写真から,p-GaN基板上にZnOナノワイアが一様配向成長していることが確認できた。作製したナノワイアアレイのI-V特性とUV感度特性を行った。従来のデータは一本のZnOナノワイアに関するものがほとんどであるが,今回はZnOナノワイアアレイについて測定を行った。GaN基板上のZnOナノワイアは150から600+nm領域においてスペクトル応答を示す。目下,高分子化手法によってUV応答を増強させる試みを行っている。実用化にあたってはセンサ特性に影響を与えずに,製造コストと歩留まりをキープできるかがポイントであるが,ZnOナノワイアが種々の光学的ならびにエレクトロニクスへの応用が期待できることがわかった。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  配列 ,  基板 ,  窒化ガリウム ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  結晶方位 ,  *優先配向 ,  *電流電圧特性 ,  形態 ,  制御 ,  電子顕微鏡観察 ,  半導体薄膜 ,  *電気抵抗率 ,  *紫外線照射
準シソーラス用語： ナノ細線 ,  次元制御

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子 ,  光学センサ ,  応用 ,  GaN ,  配向 ,  ZnO ,  ナノワイアー ,  成長