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J-GLOBAL ID：201002218988615747   整理番号：10A0290255

ウェットエッチングで形成されたオーバカット側孔を持つGaNベース発光ダイオードの増強光出力パワー

Enhanced light output power of GaN-based light emitting diodes with overcut sideholes formed by wet etching

著者 (8件)： KIM Hyun Kyu (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Chonbuk National Univ., Chonju 561-756, KOR) ,  KIM Hyung Gu (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Chonbuk National Univ., Chonju 561-756, KOR) ,  KIM Hee Yun (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Chonbuk National Univ., Chonju 561-756, KOR) ,  RYU Jae Hyoung (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Chonbuk National Univ., Chonju 561-756, KOR) ,  KANG Ji hye (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Chonbuk National Univ., Chonju 561-756, KOR) ,  HAN Nam (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Chonbuk National Univ., Chonju 561-756, KOR) ,  UTHIRAKUMAR Periyayya (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Chonbuk National Univ., Chonju 561-756, KOR) ,  HONG Chang-hee (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Chonbuk National Univ., Chonju 561-756, KOR)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 5  ページ： 575-578  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光ダイオード(LED)メサにオーバカット側孔(OS)を持つLEDを製作した。単純で制御可能なプロセスによるウエットエッチングにより,~57°角を持つOSが完全に形成できた。OS-LEDのGaNエピタクシー層に沿って導かれる横方向光が反射器としてのOS構造によって顕著に再指向され,LEDから抽出できることが分かった。OS-LEDの性能を通常のLEDの性能と比較し,OS-LEDの光出力パワーは通常のLEDから得られるそれに対し,49%向上した。またウエットエッチングがデバイスの電気特性を低下させないことは注目に値する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  メサ構造 ,  エピタクシー ,  電気特性 ,  *切断 ,  側壁 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： *GaN ,  *オーバカット ,  側孔

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ウェットエッチング ,  側孔 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  増強 ,  光出力 ,  パワー