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J-GLOBAL ID：201002219024098898   整理番号：10A0556213

自己組織化InAs量子ドットのエピタキシャル成長に及ぼすex situ AFM処置の影響

Influence of ex-situ AFM treatment on epitaxial growth of self-organized InAs quantum dots

著者 (8件)： GORDEEV Nikita Yu. (Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS) ,  GORDEEV Nikita Yu. (St. Petersburg Academic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  GONCHAROV Vadim V. (Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS) ,  MINTAIROV Sergey A. (Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS) ,  KALYUZHNYY Nikolay A. (Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS) ,  LANTRATOV Vladimir M. (Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS) ,  BRUNKOV Pavel N. (Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS) ,  BRUNKOV Pavel N. (St. Petersburg State Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7610  ページ： 76100L.1-76100L.8  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多くの量子情報方式は事前に決めた位置に量子ドットを置くことを要求する。原子間力顕微鏡(AFM)に基づく局所陽極酸化はInAs量子ドットの部位制御した成長のためのGaAs基板のex situパターン形成の効果的手段と考えられている。InAs量子ドットのMOCVD成長に及ぼすGaAs基板のex situ走査の影響を調べた。量子ドットの局所表面密度を10¹¹~10⁷/cm²に変えられる。AFM処置はGaAsの表面形態を変えずに表面特性を有意に改質できることを示した。

シソーラス用語： *量子ドット ,  *原子間力顕微鏡 ,  陽極酸化処理 ,  MOCVD ,  自己組織化 ,  エピタクシー ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  表面改質 ,  光ルミネセンス ,  表面電位 ,  電子顕微鏡観察 ,  表面性状 ,  表面構造
準シソーラス用語： 表面形態

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己組織化 ,  InAs量子ドット ,  エピタキシャル成長 ,  AFM ,  処置