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J-GLOBAL ID:201002219542557146   整理番号:10A0728294

フルベクトル有限要素法を用いたシリコンナノワイヤのキャラクタリゼーション

Characterization of silicon nanowire by use of full-vectorial finite element method
著者 (6件):
資料名:
巻: 49  号: 16  ページ: 3173  発行年: 2010年06月01日 
JST資料番号: B0026B  ISSN: 1559-128X  CODEN: APOPAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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厳密なH場ベースのフルベクトルモード解析を行い,それを用いて高屈折率コントラストの光導波路の急峻な誘電不連続のより正確なキャラクタリゼーションを行った。フルベクトルのH場およびE場とポインティングベクトルのプロファイルを詳細に記述した。この検討を通して,円形シリコンナノワイヤのモードプロファイルは円形にはならないこと,また,強い軸方向場成分を含むことを明らかにした。また,このシリコンナノワイヤの単一モード動作,ベクトル場プロファイル,モードハイブリッド性,モード楕円率および群速度分散を提示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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光導波路,光ファイバ,繊維光学 
タイトルに関連する用語 (4件):
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