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J-GLOBAL ID：201002219546062770   整理番号：10A0945226

Si₃N₄/C複合材料の放電プラズマ焼結

Spark Plasma Sintering of Si₃N₄/C Composites

著者 (5件)： TASLICUKUR Zeynep (Yildiz Technical Univ.) ,  SAHIN Filiz Cinar (Istanbul Technical Univ.) ,  GOLLER Gultekin (Istanbul Technical Univ.) ,  YUCEL Onuralp (Istanbul Technical Univ.) ,  KUSKONMAZ Nilgun (Yildiz Technical Univ.)
資料名： MP Materials Testing  (MP Materials Testing)
巻： 52  号： 6  ページ： 374-378  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0278A  ISSN： 0025-5300  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微細構造進展,相組成,および窒化ケイ素セラミックの機械的挙動に対するカーボンブラック添加の影響を明らかにした。微細構造,相対密度,曲げ強度,硬度および誘電特性に対する黒鉛量の影響を報告した。Si₃N₄/C複合材料は新しい焼結法,すなわち,放電プラズマ焼結法でカーボンブラックとα-Si₃N₄により調製した。Si₃N₄表面上の炭素粒子とSiO₂の反応を通してSiC粒子を形成し,試片は窒素雰囲気中,1650°Cで,5min,焼結した。Si₃N₄/C複合材料の相対密度は,カーボンブラック量が0%から20wt%に増加した場合,99%から85%へ低下し,また,曲げ強度,硬度および誘電特性は窒化ケイ素マトリックス中に導入されるカーボンブラック量に影響されることを説明した。X線回折は添加カーボンブラックの試片中への焼結プロセス中にSiC結晶生成が行われること,走査電子顕微鏡画像はカーボンブラック量増加とともにより多くのα-Si₃N₄が複合材料中に保持されることを示した。気孔率調整はカーボンブラック量制御により得られること,カーボンブラックはα-Si₃N₄からβ-Si₃N₄への遷移およびSi₃N₄結晶成長を妨害することを説明した。

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *セラミック ,  *複合材料 ,  *放電焼結 ,  微細構造 ,  相組成 ,  相対密度 ,  曲げ強さ ,  硬度 ,  誘電性 ,  炭化ケイ素 ,  空隙率 ,  結晶成長 ,  カーボンブラック ,  プラズマ応用 ,  セラミック添加剤 ,  焼結体 ,  *放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： *セラミックス基複合材料

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si3N4 ,  複合材料 ,  放電プラズマ焼結