低温でZnO基板上に成長させたAlN膜の表面形態へのアニオン対カチオン供給比の効果

IM Inho; JUNG Mina; KOO Jieun; LEE Hyunjae; PARK Jinsub; MINEGISHI Tsutomu; PARK Seunghwan; FUJII Katsushi; YAO Takafumi; KIL Gyungsuk; HANADA Takashi; CHANG Jiho

文献

J-GLOBAL ID：201002219953306535 整理番号：10A0052808

低温でZnO基板上に成長させたAlN膜の表面形態へのアニオン対カチオン供給比の効果

Effect of anion-to-cation supplying ratio on the surface morphology of AlN films grown on ZnO substrates at low temperature

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CHANG Jiho

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資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)

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巻： 28 号： 1 ページ： 61 発行年： 2010年01月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

抄録/ポイント
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著者は,低温(LT)(400°C)でZnO基板上に成長させたAlN膜の表面形態の発展を,アニオン/カチオン供給比(V/III比)の関数として調べた。高温成長のための周知の好都合な成長条件とは違って,平滑表面LT-AlN層を,O極表面,化学量論的及びN過剰条件の下で得た。LT-AlN層は,平滑な表面(O極ZnO上のAlNで二乗平均平方根での粗さ=0.20nm,及びZn極ZnO上のAlNで0.44nm)を現した。また,全く低いエッチピット密度(AlN/Zn極ZnOで約2×10⁶cm^-2)も。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語：

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