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J-GLOBAL ID：201002220091141208   整理番号：10A0391056

遷移金属触媒粒子上の単層カーボンナノチューブキャップの核発生のための分子レベルのモデル

A molecular level model for the nucleation of a single-wall carbon nanotube cap over a transition metal catalytic particle

著者 (2件)： FOTOPOULOS N. (National Technical Univ. of Athens, Electrical and Computer Engineering Dep., Zografou Campus, Athens 17500 Greece) ,  XANTHAKIS J.p. (National Technical Univ. of Athens, Electrical and Computer Engineering Dep., Zografou Campus, Athens 17500 Greece)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 5-6  ページ： 557-561  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年のビデオ速度のその場TEM研究により,熱化学気相堆積(CVD)中の単層カーボンナノチューブ(SWCNT)の基部成長は,Ni触媒ナノ粒子の著しい変形と表面下のカーボン層形成を伴うことが明らかにされてきている。本論文では,これらの効果はおそらくC₂H₂熱分解時に気相中で形成されたシクロペンタジエニルイオンの触媒ナノ粒子上への吸着によって形成されることを議論する。これらのイオンは,同時に既存の5角形の供給によるSWCNTキャップの核発生を促進する。この目的を達成するために,ZINDO法による半経験的量子力学的計算を行った。その結果は上で提案した機構を支持した。また,この機構が,C₂H₂熱分解時にこれらのイオンがより高い濃度で存在すると期待されるプラズマ促進CVDのSWCNT作製の増大した速度をも説明できることを示唆した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  気相成長 ,  *化学蒸着 ,  反応機構 ,  *ニッケル触媒 ,  ナノ粒子 ,  反応中間体 ,  計算機シミュレーション ,  分子軌道法 ,  計算化学 ,  アルキン

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： アセチレン

タイトルに関連する用語 (6件)： 遷移金属 ,  触媒粒子 ,  単層カーボンナノチューブ ,  キャップ ,  分子 ,  モデル