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J-GLOBAL ID：201002220108406758   整理番号：10A1045779

InGaAsP-InGaAs-InP導波路光検出器のためのInP結晶学的斜面を有する光入力テーパー式SiO_xファセット

Light-Input Tapered SiO_x Facet with InP Crystallographic Slope for InGaAsP-InGaAs-InP Waveguide Photodetectors

著者 (3件)： YANG Chyi-Da (National Kaohsiung Marine Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LEI Po-Hsun (National Formosa Univ., Yunlin, TWN) ,  WU Meng-Chyi (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 10  ページ： H924-H929  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光入力テーパー式SiO_xファセットを統合化した光ファイバ通信用の新しい高速導波路光検出器を提案した。InGaAsP-InGaAs-InP導波路光検出器の作製において斜面を有する厚さ1.5μmのn⁺-InP/厚さ0.5μmのi-InPを有するテーパー式デバイスと直立式のn⁺-InP/i-InPを有する通常のデバイスとを作製し,両方のデバイスの高周波動作時の結合効率を比較した。斜面を有するテーパー式デバイスの過剰表面漏れ電流は-5Vにおいて従来のデバイスの115mA/cm²から7.4mA/cm²,応答性は0.4A/Wから0.75A/Wへ改善された。

シソーラス用語： *光検出器 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *リン化インジウム ,  *導波路 ,  酸化ケイ素 ,  テーパ構造 ,  ファセット ,  漏れ電流

分類 (3件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  塩  (CD01050V) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (9件)： InGaAsP ,  InGaAs ,  InP ,  導波路 ,  光検出器 ,  結晶学 ,  斜面 ,  テーパー ,  ファセット