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J-GLOBAL ID：201002220547651637   整理番号：10A0884322

非晶質シリコン・カーバイド(a-SiC_xO_y)薄膜による白色発光:組成並びに蒸着後アニーリングの役割

White light emission from amorphous silicon oxycarbide (a-SiC_xO_y) thin films: Role of composition and postdeposition annealing

著者 (5件)： GALLIS Spyros (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, The Univ. at Albany-SUNY, Albany, New York 12203, USA) ,  NIKAS Vasileios (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, The Univ. at Albany-SUNY, Albany, New York 12203, USA) ,  SUHAG Himani (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, The Univ. at Albany-SUNY, Albany, New York 12203, USA) ,  HUANG Mengbing (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, The Univ. at Albany-SUNY, Albany, New York 12203, USA) ,  KALOYEROS Alain E. (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, The Univ. at Albany-SUNY, Albany, New York 12203, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 8  ページ： 081905  発行年： 2010年08月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着によって成長させた非晶質シリコン・酸素化カーバイド(a-SiC_xO_y)膜の白色発光に対する炭素及び蒸着後アニーリングの効果を調べた。膜は励起エネルギーに依存して,青紫から近赤外の広いスペクトル領域に渡る強い室温発光を示した。フォトルミネッセンス(PL)強度はSi-O-C結合の濃度と良い相関を示した。低C(<5%)では,高々500°CでのO₂中アニーリングによってマトリックスPLは完全に消失する。高濃度のCでは,O₂中アニーリングによるPLへの影響は見られず,紫外レーザ励起によって増強する。これらの発見は,a-SiC_xO_yにおける発光源がC及びSiに関係するO欠陥中心であることを示唆する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *非晶質 ,  *炭化物 ,  *酸化物 ,  *ケイ素化合物 ,  熱処理 ,  *白色光 ,  *化学蒸着 ,  蒸着膜 ,  *光ルミネセンス

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 非晶質シリコン ,  カーバイド ,  薄膜 ,  白色発光 ,  組成 ,  蒸着 ,  アニーリング ,  役割