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J-GLOBAL ID：201002220803702481   整理番号：10A0904527

有機金属化学蒸着法により成長させたZnO中の炭素不純物混入に対するO/Zn比及び成長温度の影響

The influences of O/Zn ratio and growth temperature on carbon impurity incorporation in ZnO grown by metal-organic chemical vapor deposition

著者 (7件)： LIU J.g. (Nanjing National Lab. of Microstructures and School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  GU S.l. (Nanjing National Lab. of Microstructures and School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  ZHU S.m. (Nanjing National Lab. of Microstructures and School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  TANG K. (Nanjing National Lab. of Microstructures and School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  LIU X.d. (Nanjing National Lab. of Microstructures and School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  CHEN H. (Nanjing National Lab. of Microstructures and School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  ZHENG Y.d. (Nanjing National Lab. of Microstructures and School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 19  ページ： 2710-2717  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着(MOCVD)の酸素源としてN₂OまたはO₂を使用して成長させたZnOにおいて,O/Zn比と炭素不純物混入の間の強い相関が観測された。その場質量分析測定から,MOCVD炉中のO/Zn比は臨界成長温度T_cまでは成長温度が上昇するにつれて最小値にまで減少し,次いでT_c以上では酸素及びZn源の分解速度の違いのために増加した。炭素クラスタのsp²に関係したモードに帰せられる最強のD及びGモードがT_cで成長させたZnO試料のRaman散乱分光で観測され,T_cで成長した試料で炭素不純物の最大混入比を示した。O₂と比較してN₂Oは低分解速度を有しており,そのためにO/Zn比は小さく,はるかに強いD及びGモードをもたらし,T_cで成長した試料の炭素不純物の混入比はより高くなった。興味深いことに,Hall測定から最小の比抵抗がT_cで成長した試料で得られ,ZnO中で高伝導領域だと考えられる炭素クラスタの形成による電気的寄与の可能性を示した。さらに,N₂Oのときのイオン化またはH₂の添加はN₂Oの分解を大きく促進し,膜の品質を大きく改善した。特に低温では,高O/Zn比は炭素不純物の混入を抑制し,MOCVDによる高品質ZnOを成長させるために重要であった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MOCVD ,  *炭素 ,  *不純物 ,  *質量分析 ,  その場観察 ,  Raman散乱 ,  Hall移動度 ,  化学組成 ,  基板温度 ,  Ramanスペクトル ,  *光ルミネセンス ,  可視発光スペクトル

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学蒸着法 ,  成長 ,  ZnO ,  炭素 ,  不純物混入 ,  Zn ,  成長温度