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J-GLOBAL ID：201002220910511869   整理番号：10A0686458

GaNナノワイヤバンドルへのSchottky接触の高周波特性評価

High frequency characterization of a Schottky contact to a GaN nanowire bundle

著者 (10件)： CHIANG Chin-jen (Electromagnetics Div., National Inst. of Standards and Technol., Boulder, Colorado 80305, USA) ,  WALLIS T. Mitch (Electromagnetics Div., National Inst. of Standards and Technol., Boulder, Colorado 80305, USA) ,  GU Dazhen (Electromagnetics Div., National Inst. of Standards and Technol., Boulder, Colorado 80305, USA) ,  IMTIAZ Atif (Electromagnetics Div., National Inst. of Standards and Technol., Boulder, Colorado 80305, USA) ,  KABOS Pavel (Electromagnetics Div., National Inst. of Standards and Technol., Boulder, Colorado 80305, USA) ,  BLANCHARD Paul T. (Optoelectronics Div., National Inst. of Standards and Technol., Boulder, Colorado 80305, USA) ,  BERTNESS Kristine A. (Optoelectronics Div., National Inst. of Standards and Technol., Boulder, Colorado 80305, USA) ,  SANFORD Norman A. (Optoelectronics Div., National Inst. of Standards and Technol., Boulder, Colorado 80305, USA) ,  KIM Kichul (Dep. of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Univ. of Colorado, Boulder, Colorado 80305, USA) ,  FILIPOVIC Dejan (Dep. of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Univ. of Colorado, Boulder, Colorado 80305, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 12  ページ： 124301  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1個のSchottky接触と1個のOhm接触がある2ポートGaNナノワイヤ(NW)素子を最高10GHzまで,オンウエハマイクロ波測定を使って評価した。広帯域応答の測定と共に,2つの余分なマイクロ波測定の適用を紹介した:(1)反射した広帯域信号(S₁₁とS₂₂)に基づくSchottky接触とOhm接触との識別可能性,(2)数個NWバンドルへのSchottky接触の容量電圧(CV)種類の測定。Schottky接触の接合容量は様々なバイアス電圧において広帯域応答をマイクロ波回路モデルにフィットして決定した。得られたCV曲線からのキャリア濃度は5.3×10¹⁸/cm³,そしてSchottky障壁高さは0.99eVと評価した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *Schottky障壁 ,  Ohm接触 ,  周波数依存性 ,  容量電圧特性 ,  バイアス ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 接合容量

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ナノワイヤ ,  Schottky接触 ,  高周波特性 ,  評価