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J-GLOBAL ID：201002221003664006   整理番号：10A0924845

DCとサーマルストレスによるInAlAs/InGaAs MHEMTの劣化

InAlAs/InGaAs MHEMT Degradation during DC and Thermal Stressing

著者 (8件)： DOUGLAS E. A. (Univ. Florida) ,  CHEN K. H. (Univ. Florida) ,  CHANG C.Y. (Univ. Florida) ,  LEU L. C. (Univ. Florida) ,  LO C. F. (Univ. Florida) ,  CHU B. H. (Univ. Florida) ,  REN F. (Univ. Florida) ,  PEARTON S. J. (Univ. Florida)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 818-821  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs基板上に成長させたInAlAs/InGaAs MHEMT(メタモルフィック高電子移動度トランジスタ)の信頼性について報告する。MHEMTに250°C48時間保管とドレイン電圧3ボルト36時間のストレスを加えた。この条件でドレイン電流密度は12.5%減少した。しかしながら,ゲート電流はDCバイアスの場合とは対照的に高温保管後には増加した。高温保管中の主な劣化機構はOhm接触とその下層の半導体との反応によるものであった。DCバイアスを加えたデバイスではゲートからPtがInAlAs層に拡散していることが透過型電子顕微鏡(TEM)とエネルギー分散X線分光(EDS)で確認された。

シソーラス用語： 直流電圧 ,  熱応力 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  半導体材料 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *HEMT ,  *経時変化 ,  信頼性解析 ,  *故障解析 ,  白金 ,  エレクトロマイグレーション ,  Ohm接触 ,  ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： DC ,  ストレス ,  InAlAs ,  InGaAs ,  MHEMT