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J-GLOBAL ID：201002221015195826   整理番号：10A0135430

パルスレーザ堆積法と熱アニールによるβ-FeSi₂多結晶微細構造の低温形成

Low temperature formation of β-FeSi₂ polycrystalline microstructure by pulsed laser deposition and thermal annealing

著者 (9件)： SUGAWARA Hiroharu (Dep. of Electronic Systems Engineering, Tokyo Metropolitan Inst. of Technol.) ,  NAKAMURA Shingo (Dep. of Electronic Systems Engineering, Tokyo Metropolitan Inst. of Technol.) ,  OOUCHI Masayuki (Dep. of Electronic Systems Engineering, Tokyo Metropolitan Inst. of Technol.) ,  KUMURA Yui (Dep. of Electronic Systems Engineering, Tokyo Metropolitan Inst. of Technol.) ,  SHISHIDO Takenobu (Dep. of Electronic Systems Engineering, Tokyo Metropolitan Inst. of Technol.) ,  IGARASHI Takatoshi (Dep. of Electronic Engineering, School of Engineering, The Univ. of Tokyo) ,  KISHI Masato (Dep. of Electronic Engineering, School of Engineering, The Univ. of Tokyo) ,  TSUCHIYA Masahiro (Dep. of Electronic Engineering, School of Engineering, The Univ. of Tokyo) ,  TSUCHIYA Masahiro (National Inst. of Information and Communications Technol.)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 1  号： 9  ページ： 253-257 (J-STAGE)  発行年： 2004年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温パルスレーザ堆積法と350°C以下のポストアニールを用いて,液滴の形で非常に低い温度でβ-FeSi₂を形成するのに成功した。β-相形成の証拠は顕微ラマン分光法とTEM解析により得られた。低温での性質は,レーザアブレーションにより生じたFe-Si融解物からの急速熱除去により作製されたと思われる中間非晶質の形成に起因すると考えられる。この低温方式は,高温プロセスなしで多結晶FeSi₂を作製する代替方法となり,標準Siデバイス作製プロセスと有益に両立する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  鉄化合物 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  多結晶 ,  *微細構造 ,  レーザ蒸着 ,  熱処理 ,  β相 ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： 熱アニーリング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (8件)：

• [1] D. Leong, M. A. Harry, K. J. Reeson, and K. P. Homewood, “On the origin of 1.5µm luminescence in ion beam synthesis β-FeSi₂, ” Appl. Phys. Lett., vol. 68, pp. 1649-1650, 1996.
• [2] T. Suemasu, Y. Iikura, K. Takakura, and F. Hasegawa, “Optimum annealing condition for 1.5µm photoluminescence from β-FeSi₂ balls grown by reactive deposition epitaxy and embedded in Si crystal, ” J. Lumin., vol. 87-89, pp. 528-531, May 2000.
• [3] M. Kishi, T. Igarashi, M. Tsuchiya, J. Katayose, M. Ouchi, and H. Sugawara, “Low temperature formation of beta-FeSi₂ droplets based on pulsed laser deposition, ” The 8th IUMRS Intern. Conf. on Advanced Materials, Yokohama, Japan, C7-12-15, p. 17, Oct. 2003.
• [4] T. Yoshitake, G. Shiraishi, and K. Nagayama, “Elimination of droplets using a vane velocity filter for pulsed laser ablation of FeSi₂, ” Appl. Surf. Sci., vol. 197-198, pp. 379-383, Sept. 2002.
• [5] L. C. Chen, “Particulate generated by pulsed laser ablation, ” in <i>Laser Deposition of Thin Films</i>, eds. D. B. Chrisey and G. K. Hubler, John Wiley & Sons, 1994, pp. 167-198.

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ堆積 ,  熱アニール ,  多結晶 ,  微細構造 ,  低温形成