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J-GLOBAL ID：201002221053339491   整理番号：10A0322122

オープンエンドカーボンナノチューブと銅の界面の電子構造と接触抵抗

Electronic structure and contact resistance at an open-end carbon nanotube and copper interface

著者 (3件)： GAO Feng (Dep. of Civil and Environmental Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208, USA) ,  QU Jianmin (Dep. of Civil and Environmental Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208, USA) ,  YAO Matthew (Rockwell Collins Inc., Cedar Rapids, Iowa 52498, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 10  ページ： 102108  発行年： 2010年03月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オープンエンドカーボンナノチューブと銅の界面における電子構造と接触抵抗の量子力学研究を報告した。カーボンナノチューブ(CNT)/Cu界面近くの局所状態密度を密度汎関数理論(DFT)を用いて計算し,透過係数はDFTとともに非平衡Green関数法を用いて計算した。シミュレーションセルの電流電圧関係は,(接触抵抗を決定できる)Landauer-Buttiker式を用いて得た。結果は,Cu/CNT/Cu系の接触抵抗が電子パッケージにおけるはんだ/Cu界面に匹敵することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  *界面 ,  *電子構造 ,  *接触抵抗 ,  *銅 ,  量子論 ,  状態密度 ,  密度汎関数法 ,  透過率 ,  Green関数 ,  近似法 ,  シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  ICパッケージ ,  はんだ
準シソーラス用語： 局所状態密度 ,  半導体パッケージ ,  非平衡Green関数

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 銅 ,  界面 ,  電子構造 ,  接触抵抗