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J-GLOBAL ID：201002221070082909   整理番号：10A0357861

Si終端SiC(0001)面上のグラフェン・ナノリボンの部分エピタキシャル・モルフォロジー

Partial-epitaxial morphology of graphene nanoribbon on the Si-terminated SiC(0001) surfaces

著者 (2件)： SORKIN V. (Inst. of High Performance Computing, Singapore, SGP) ,  ZHANG Y. W. (Inst. of High Performance Computing, Singapore, SGP)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 8  ページ： 085435.1-085435.6  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： モルフォロジー ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  基板 ,  *グラファイト ,  *ナノ構造 ,  成端 ,  ケイ素 ,  *ヘテロエピタクシー ,  van der Waals力 ,  共有結合 ,  幅 ,  温度依存性 ,  計算機シミュレーション ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  終端

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  終端 ,  SiC ,  グラフェン ,  ナノリボン ,  エピタキシャル ,  モルフォロジー