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J-GLOBAL ID：201002221134206410   整理番号：10A0422311

ゲルマニウム中のドーパント-空格子点クラスタの形成

Dopant-vacancy cluster formation in germanium

著者 (1件)： CHRONEOS A. (Dep. of Materials, Imperial Coll. London, London SW7 2BP, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 7  ページ： 076102  発行年： 2010年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の実験及び理論研究はゲルマニウム(Ge)中のドーパントが格子空格子点(V)とクラスタ化することを明らかにした。これらの大きなクラスタの存在が最近予測され,それらはGe中のドーパントの低活性に寄与し得るので重要である。電子構造計算を用いて,ドーパント原子と空格子点の会合により形成されるクラスタの結合エネルギーを調べた。このようなクラスタの動力学の一例として,拡散の環状機構による二個の燐-空格子点(P₂V)クラスタの拡散を予測した。これらのP₂Vクラスタはより大きなP₃VやP₄Vのクラスタ形成前駆体として作用するので重要である。本研究はクラスタ構造に関する最近の実験結果と一致する情報を提供し,高ドープGe中のクラスタ形成が可能なことを示した。実験同様に,さらにP原子を添加することでPV対の拡散が遅れると予測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  *ドーパント ,  *空格子点 ,  *クラスタ形成 ,  電子構造 ,  結合エネルギー ,  リン ,  半導体材料

分類 (1件)： 分子化合物の結晶構造  (BK09050T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマニウム ,  ドーパント ,  空格子点 ,  クラスタ