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J-GLOBAL ID：201002221231685153   整理番号：10A1099291

ケイ素ナノ円錐の成長速度に及ぼす雰囲気ガスの影響

Influence of ambient gas on the growth kinetics of Si nanocones

著者 (4件)： WAN Y. T. (Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, People’s Republic of China) ,  SHA J. (Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, People’s Republic of China) ,  WANG Z. L. (Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, People’s Republic of China) ,  WANG Y. W. (Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 15  ページ： 153128  発行年： 2010年10月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多セグメントケイ素ナノ円錐を設計し作製し,その成長速度を調べた。雰囲気ガスががSiナノ円錐に顕著に影響することを見出した。雰囲気ガスの全圧を高くすると軸方向成長速度が高くなり,最後に飽和に接近した。その一方で径方向の成長速度もまた全圧を高くすると高くなったが,水素含有量を多くすると低下した。モデルを開発し,SiNC表面上のLangmuir吸着,シラン分解と水素被覆の効果を複合化することにより,成長速度を研究し,実験結果と一致する結果が得られた。この論文ではまた雰囲気ガスにより円錐角を制御可能なことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  半導体 ,  *成長速度 ,  *化学蒸着 ,  気体 ,  圧力効果 ,  *モデリング ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ナノ円錐 ,  *雰囲気ガス

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ケイ素 ,  ナノ円錐 ,  成長速度 ,  雰囲気ガス