文献

J-GLOBAL ID：201002221238642557   整理番号：10A0704824

ゾルゲル法により作製されたEr/Bi共添加SiO₂薄膜の1.54μmの効率的な発光におけるBi³⁺およびEr³⁺イオンの役割

Role of Bi³⁺ ions for Er³⁺ ions efficient 1.54μm light emission in Er/Bi codoped SiO₂ thin film prepared by sol-gel method

著者 (9件)： ZHENG J. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  ZUO Y.h. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  ZHANG L.z. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  WANG W. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  XUE C.l. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  CHENG B.w. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  YU J.z. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  GUO H.q. (Coll. of Information Sci. and Technol., Huaqiao Univ., Quanzhou 362021, People’s Republic of China) ,  WANG Q.m. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 130  号： 10  ページ： 1760-1763  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Er/Bi共添加SiO₂薄膜はゾルゲル法および直後に熱処理過程を伴ったスピン-オン技術により作製した。ケイ酸ビスマス結晶相は低温熱処理温度で現れた。そして,1000°C以上の熱処理温度で消滅した。それはX線回折により確認した。さらに,ラザフォード後方散乱測定はビスマス濃度の減少により,膜の構造変化をよく明らかにした。室温での1.54μmの発光(線幅7nm以下)に関係したEr³⁺の微細構造は光ルミネセンス(PL)測定により観測した。1.54μmのPL強度は800°Cで最大に達し,1000°Cで劇的に減少した。熱処理温度に依存したPLはケイ酸ビスマス相に明確な関連があることを示唆した。励起スペクトル測定は赤外発光に近いEr³⁺に関するBi³⁺イオンの役割をさらに明らかにした。ゾルゲル法および熱処理を通して,Bi³⁺イオンはEr-Bi-Si-O合成物の形成によりEr³⁺イオン発光のための最適な条件を提供できる。さらに,Bi³⁺イオンからEr³⁺イオンへのエネルギー移動が証明され,Er³⁺の赤外に近い発光に関するさらに効率的な方法となることが分かった。これは将来のエルビウム添加導波路増幅器や赤外LEDの応用に約束されたBi³⁺イオン添加の材料を得る。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゾル-ゲル法 ,  *ドーピング ,  *酸化ケイ素 ,  エルビウム ,  ビスマス ,  *光ルミネセンス ,  熱処理 ,  エネルギー移動
準シソーラス用語： *共ドーピング

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (10件)： ゾルゲル法 ,  作製 ,  Er ,  Bi ,  共添加 ,  SiO2 ,  薄膜 ,  Er3+ ,  イオン ,  役割