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J-GLOBAL ID：201002221294146686   整理番号：10A0426367

強誘電性ポリペプチドTFTメモリにおける誘電体層の分子配向状態がメモリ保持特性に及ぼす影響

著者 (6件)： 福島知央 (千葉大 工) ,  猪股傑士 (千葉大 大学院) ,  中村一希 (千葉大 大学院) ,  小林範久 (千葉大 大学院) ,  植村聖 (産業技術総合研) ,  鎌田俊英 (産業技術総合研)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 90th  号： 3  ページ： 905  発行年： 2010年03月12日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスタ(OTFT)の誘電体層に強誘電性のポリペプチド膜を用いることで,メモリ素子が作製可能であることが報告されている。以前の研究から,ポリペプチドの分子配向状態がトランジスタ特性のヒステリシス挙動に影響を与えることが明らかとなっているが,実際のメモリ素子としての検討には至ってない。そこで本研究ではポリペプチド膜の分子配向状態がOTFTのメモリ保持特性に及ぼす影響について検討を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電性 ,  *ポリペプチド ,  分子配向 ,  *薄膜トランジスタ ,  *記憶素子 ,  ヒステリシス ,  高分子膜 ,  高分子 ,  原子間力顕微鏡 ,  真空蒸着 ,  FeRAM
準シソーラス用語： ポリメチルグルタメート ,  *メモリ素子 ,  強誘電体メモリ ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  ペプチド  (CF10080G) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電性 ,  ポリペプチド ,  TFT ,  分子配向 ,  保持特性