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J-GLOBAL ID:201002221334957895   整理番号:10A0390118

APCVD法で成長させたTiO2薄膜の構造,光学,電気化学的性質

Structural, optical and electrochemical properties of TiO2 thin films grown by APCVD method
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巻: 256  号: 13  ページ: 4065-4071  発行年: 2010年04月15日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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TiCl4と酢酸エチル(EtOAc)との反応により,ガラス基板及びITO被覆ガラス基板上へのTiO2薄膜の大気圧化学気相成長(APCVD)を達成した。合成温度が光学特性,構造,電気化学特性に及ぼす影響を分光学的透過,X線回折(XRD),電気化学インピーダンス分光(EIS)測定によって調べた。400°C以上の温度でガラス基板上に成膜したTiO2薄膜は正方晶構造のルチル型であったが,ITO被覆ガラス基板上に成膜したTiO2薄膜はアナターゼ型構造であった。EISは,色素増感太陽電池で典型的に見いだされている電解質/TiO2界面における電荷移動抵抗を決定する適切な方法であるので用いた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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