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J-GLOBAL ID：201002221459842658   整理番号：10A0925074

AlGaN/GaN HEMTを用いた4.0GHzにおける高効率E級MMIC電力増幅器

High-efficiency class E MMIC power amplifiers at 4.0GHz using AlGaN/GaN HEMT technology

著者 (4件)： ZOMORRODIAN Valiallah (Univ. of California Santa Barbara, CA, USA) ,  PEI Yi (Univ. of California Santa Barbara, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. of California Santa Barbara, CA, USA) ,  YORK Robert A. (Univ. of California Santa Barbara, CA, USA)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 640-644  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 周波数4GHz用に設計したAlGaN/GaN HETを用いた2種類の高効率E級MMIC電力増幅器をについて報告した。一番目の回路は,0.5mm(4×125μm)HEMTを用いて25Vのドレインバイアスをかけた時に,電力付加効率(PAE)61%,出力電力33.8dBm,そして,最大利得14.8dBであった。二番目の回路は1mm(8×125μm)HEMTを用いて30Vのドレインバイアスをかけた時に,PAE57%,出力電力36dBm,そして,最大利得13dBであった。これらの回路は4W/mmの出力を生成できたことになる。

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  *MMIC ,  *HEMT ,  電力付加効率
準シソーラス用語： AlGaN ,  *E級増幅器 ,  *GaN HEMT

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  高効率 ,  MMIC電力増幅器