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J-GLOBAL ID：201002221773552141   整理番号：10A0026909

分子軌道ゲーティングの観察

Observation of molecular orbital gating

著者 (6件)： SONG Hyunwook (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  KIM Youngsang (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  JANG Yun Hee (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  JEONG Heejun (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  REED Mark A. (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  LEE Takhee (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 462  号： 7276  ページ： 1039-1043  発行年： 2009年12月24日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 能動電子デバイスにおける電荷輸送制御は,外部ノードによる内部電荷密度の変調に密接に依存する。例えば,電界効果トランジスターは,電極に対する伝導帯と価電子帯の相対位置を変えることによって生じる,チャネル電荷の静電的なゲート変調を利用している。分子スケールデバイスでは,このように(つまり軌道エネルギーを変えることによって)動作する真の3端子デバイスの作製が長年の課題であった。今回我々は,輸送電流が外部ゲート電圧によって直接変調される,そのような固体分子デバイスの観察結果について報告する。最も近い分子軌道との共鳴増強結合が,電子トンネル分光法によって明らかになり,電子デバイスでの直接的な分子軌道ゲーティングが実証された。今回の研究結果は,真の分子トランジスターが作製可能であることを実証しており,したがって,分子レベルで設計される電子デバイスの可能性を高めるものである。Copyright Nature Publishing Group 2009

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *分子軌道 ,  *分子素子 ,  *ゲート【半導体】 ,  トランジスタ ,  電流 ,  信号変調 ,  *軌道エネルギー
準シソーラス用語： ゲート変調 ,  分子トランジスタ ,  輸送電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子軌道 ,  ゲーティング ,  観察