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J-GLOBAL ID：201002221784648817   整理番号：10A1539408

GaNナノワイヤ電界効果トランジスタ及びバンド-バンドトンネル電界効果トランジスタのモデリング及び性能

Modeling and performance analysis of GaN nanowire field-effect transistors and band-to-band tunneling field-effect transistors

著者 (2件)： KHAYER M. Abul (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Riverside, California 92521-0204, USA) ,  LAKE Roger K. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Riverside, California 92521-0204, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 10  ページ： 104503  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深くスケールしたGaNナノワイヤ(NW)電界効果トランジスタ(FET)の実部及び虚部バンド構造を,八バンドk・pモデルで計算した。GaN NW FET及びNWバンド-バンドトンネルFET(TFET)の両方の輸送特性の分析を述べた。深スケールn型GaN NW FETは,量子容量限界の代わりに,古典的な容量限界(CCL)において動作した。これは,高電子有効質量及び高状態密度の結果であった。これらの素子のCCL動作が,素子性能にどのようにして影響を与えるかを議論した。GaN NW FETでは,0.2eVのソースFermi準位内で,電流密度は5から8.5A/mmまで変わった。GaN TFETに関して,オン電流,オフ電流,及び求められる電場に及ぼすNW直径の効果を分析した。~0.05A/mmの駆動電流を,GaN NW TFETに関して達成できることを示した。これらの素子は,高速及び高電力応用に対する可能性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *窒化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  トンネル効果 ,  *バンド構造 ,  有効質量 ,  状態密度 ,  電流密度 ,  電流
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  トンネリング ,  *k・pモデル ,  輸送特性 ,  駆動電流

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  バンド ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  モデリング