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J-GLOBAL ID：201002221929278363   整理番号：10A0246918

ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用

Device applications of IV-VI semiconductor films and superlattices prepared by hot wall epitaxy

著者 (1件)： 石田明広 (静岡大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 79  号： 3  ページ： 243-247  発行年： 2010年03月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ホットウォールエピタキシー(HWE)法による半導体薄膜・超格子成長とデバイス応用に関する研究は30年以上前から続けられている。ここでは,HWE法によるIV-VI族半導体超格子の成長と赤外線レーザーなどへのデバイス応用を振り返り,最近の熱電応用に関する研究と量子カスケードレーザーに向けた研究の現状について述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  超格子 ,  赤外レーザ ,  *量子井戸レーザ ,  テルル化鉛 ,  *テルル化物 ,  スズ化合物 ,  ユウロピウム化合物 ,  輸送係数 ,  バンドオフセット ,  *熱起電力 ,  *多重量子井戸 ,  ヘテロ接合 ,  *量子カスケードレーザ
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  *ホットウォールエピタキシー

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (27件)：

• LOPEZ-OTERO, A. Appl. Phys. Lett. 1975, 26, 470
• KINOSHITA, H. J. Appl. Phys. 1980, 51, 5845
• MURASE, K. Superlattices & Microstructures. 1985, 1, 177
• ISHIDA, A. J. Appl. Phys. 1985, 58, 1901
• ISHIDA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 1985, 24, L956

タイトルに関連する用語 (6件)： ホットウォールエピタキシー法 ,  IV-VI族半導体 ,  薄膜 ,  格子 ,  作製 ,  応用