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J-GLOBAL ID：201002222049850030   整理番号：10A1086270

32nmとそれを超えたフォトマスクパターンの分割画像からの大きな等高線データの発生

The Large Contour Data Generation from Divided Image of Photomask Pattern of 32nm and Beyond

著者 (5件)： MURAKAWA Tsutomu (Advantest Corp., Saitama, JPN) ,  OGISO Yoshiaki (Advantest Corp., Saitama, JPN) ,  IWAI Toshimichi (Advantest Corp., Saitama, JPN) ,  MATSUMOTO Jun (Advantest Corp., Saitama, JPN) ,  NAKAMURA Takayuki (Advantest Corp., Saitama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7748  ページ： 77481A.1-77481A.8  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトマスクパターンが小さく複雑になるにつれて,フォトマスクのプロセス管理のために,二次元測定を用いたマスクCD-SEMの適用が必要になった。さらに,光学マスク検査ツールを用いたウエハ平面検査(WPI)技術の適用によって,フォトマスク像を用いたウエハ平面像をシミュレーションできるようになった。32nmとそれ以下のノードにおける積極的にOPCを採用したハイエンドなフォトマスクパターンにおけるマスク増大因子(MEEF)を調べるために,高精度SEM像から得られる広視野(FOV)GDSデータ,および,色調情報への要求がある。これらの要求に鑑みて,10μm平方より広いFOV像を用いてサブナノメータの精度を有するGDSデータ抽出アルゴリズムを開発した。その結果,通常のSEM像では発生する歪がない大きな等高線データ発生させた。この評価結果はAdvantest社が製造するMask CD-SEM E3620を用いて,32nmおよびそれ以下のノードに有効であることを示した。一方,広FOV GDSデータの応用例を調べた。得られたGDSデータを設計データと簡単に比較するために,3つの色調のフォトマスクパターンの3層構造とした。このパターンは外部パターンとその他のパターンから構成される。

シソーラス用語： *フォトマスク ,  等高線 ,  画像 ,  半導体プロセス ,  シミュレーション ,  *パターン形成 ,  フォトリソグラフィー ,  セグメンテーション ,  *画像処理 ,  品質管理 ,  CAD【計算機】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： フォトマスクパターン ,  等高線