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J-GLOBAL ID：201002222126012344   整理番号：10A0335978

In-Si-Mo系におけるガラス上での結晶シリコンの溶液成長

Solution growth of crystalline silicon on glass in the In-Si-Mo system

著者 (6件)： HEIMBURGER Robert (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin-Adlershof, DEU) ,  TEUBNER Thomas (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin-Adlershof, DEU) ,  DESSMANN Nils (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin-Adlershof, DEU) ,  SCHRAMM Hans-peter (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin-Adlershof, DEU) ,  BOECK Torsten (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin-Adlershof, DEU) ,  FORNARI Roberto (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin-Adlershof, DEU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 9  ページ： 1632-1635  発行年： 2010年04月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属溶液からの結晶シリコンの低温での成長の進行を示した。成長は,導電性の層で被覆したガラス上で行った。飽和成長溶液と接触したこの中間層の熱力学的安定性が,引き続いて起きる過程の本質的な必須条件である。したがって,この過程に含まれる材料は適切に選ばれなければならない。二けい化モリブデン薄膜は,溶液接触に耐えることを示した。この方法において,気体-液体-固体機構の使用による種結晶の形成とそれに続く低温の金属溶液からのさらに進んだ過程に成功した。直径が200μm以下で,{111}小面のシリコン微結晶のガラス上での成長を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  微結晶 ,  *溶液成長 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  シート抵抗 ,  Ramanスペクトル ,  フォノン ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  インジウム ,  モリブデン ,  ガラス ,  被覆

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Mo ,  ガラス ,  結晶シリコン ,  溶液成長