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J-GLOBAL ID：201002222908020290   整理番号：10A0139167

高出力赤外LEDの開発

Develoment of High Optical Output Power Infrared Light Emitting Diode

著者 (5件)： 北林弘之 (住友電気工業) ,  川端吉純 (住友電気工業) ,  松原秀樹 (住友電気工業) ,  宮原賢一 (住電半導体材料) ,  田中聡 (住電半導体材料)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 176  ページ： 80-83  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaAs系化合物半導体高性能エピ成長技術,多重量子井戸(MQW)活性層構造の成長技術を活用した940nmの高出力赤外LEDの開発を報告した。本赤外LEDは,従来構造の高出力デバイス出力に比べて2.5倍の出力が得られると述べた。このLEDは,AlGaAsのn型半導体透明エピ層上に,MQW構造の活性層を形成している。本LEDはスペクトル幅が狭く,検出が容易であり,発光波長の微調整が容易であるなど特徴を有すると述べた。また,大電流動作時の電流-光出力特性の直線性や高速応答性にも優れていると述べた。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  多重量子井戸 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  製品開発 ,  出力 ,  活性層 ,  赤外線 ,  赤外発光スペクトル
準シソーラス用語： 高出力

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (5件)：

• E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes, Cambridge University Press, Cambridge (2003)
• 「DVD・CD用レーザエピウェハを開発・発売」、SEIテクニカルレビュー、Vol.168、p. 112(2006)
• T. C. Shen, G. B. Gao and H. Morkocç, “Recent developments in ohmic contacts for III-V compound semiconductors”, J. Vac. Sci. Technol. B, Vol.10, No.5, pp. 2113-2132(1992)
• M. Alexe and U. Gösele, ed., “Wafer Bonding”, Springer, Berlin (2004)
• R. H. Horng, S. H. Huang, D. S. Wuu and Y. Z. Jiang “Characterization of Large-Area AIGaInP/Mirror/Si Light-Emitting Diodes Fabricated by Wafer Bonding”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.43, No.5A, pp. 2510-2514(2004)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高出力 ,  赤外 ,  LED ,  開発