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J-GLOBAL ID：201002223004610697   整理番号：10A0056391

サファイア基板上のGaN成長の新展開

Novel technology for GaN film growth on sapphire substrate.

著者 (2件)： 只友一行 (山口大 大学院理工学研究科) ,  岡田成仁 (山口大 大学院理工学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 79  号： 1  ページ： 59-63  発行年： 2010年01月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： サファイア基板上に高品質の無極性面・半極性面GaNを成長する新しい結晶成長技術を考案した。a面{11<span style=text-decoration:overline>2</span>0}サファイア基板およびr面{10<span style=text-decoration:overline>1</span>2}サファイア基板の表面に,エッチングによりc面近傍の側壁が露出したトレンチ構造をストライプ状に形成した。成長条件を選ぶとc面近傍の側壁から選択的にGaNの成長が起こり,横方向成長を経てa面サファイア加工基板上には無極性m面{1<span style=text-decoration:overline>1</span>00}GaNが,r面サファイア加工基板上には半極性{11<span style=text-decoration:overline>2</span>2}面GaNが成長することを実証した。サファイア基板の面方位を選択し,GaNの成長条件を最適化すれば,サファイア加工基板のc面近傍側壁から,従来のc面GaN成長を行う基本的な操作により,原理的にはすべての成長可能なファセット面のGaNをサファイア基板上に成長することが可能である。(著者抄録)

シソーラス用語： 基板 ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  非極性 ,  *極性 ,  *発光ダイオード ,  表面粗さ ,  MOCVD ,  転位密度 ,  *結晶方位 ,  *選択成長
準シソーラス用語： 無極性 ,  半極性 ,  表面凹凸

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (21件)：

• CHICHIBU, S. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 4188
• TAKEUCHI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L382
• ISO, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L960
• ZHONG, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 233504
• SAITO, Y. Appl. Phys. Express. 2009, 2, 041001

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア基板 ,  GaN ,  成長 ,  展開