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J-GLOBAL ID：201002223016915140   整理番号：10A0135675

非底面Al_xGa_1-xN/GaNヘテロ構造における引張応力と亀裂の異方性

Anisotropy of tensile stresses and cracking in nonbasal plane Al_xGa_1-xN/GaN heterostructures

著者 (6件)： YOUNG Erin C. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  ROMANOV Alexey E. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  GALLINAT Chad S. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  HIRAI Asako (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  BELTZ Glenn E. (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SPECK James S. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 4  ページ： 041913  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自立したGaN基板の非極性m{1-100}及び{11-22半極性方位上に成長させたAl_xGa_1-xN膜をある応力状態(x≦0.17)にわたって調べた。{1-100}方位膜では臨界厚みを越えると,(0001)面に亀裂が観察され,{11-22}膜では亀裂は観察されなかった。重要な面に対するAl_xGa_1-xNの引張応力を理論分析して,非極性{1-100}面の面内2軸応力の異方性からc面に最高の垂直応力が発生することを明らかにした。これは実験観察結果を矛盾しない。半極性の場合,剪断応力が重要になることから,不整合転位形成が応力解放の別の機構になると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  ガリウム化合物 ,  X線回折 ,  窒化物 ,  アルミニウム化合物 ,  ヘテロ接合 ,  *引張応力 ,  *半導体薄膜 ,  *微小亀裂 ,  化合物半導体 ,  膜厚 ,  極性 ,  膜応力 ,  法線応力 ,  不整合転位 ,  剪断応力 ,  MBE成長
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  垂直応力 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 底面 ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  引張応力 ,  亀裂 ,  異方性