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J-GLOBAL ID：201002223624388820   整理番号：10A0466595

p型InPにおける深いトラップの捕獲に対する電場の効果

Electric field effect on the carrier capture of deep traps in p-type InP

著者 (2件)： DARWICH R. (Dep. of Physics, Atomic Energy Commission of Syria, P.O. Box 6091, Damascus, Syria) ,  SABRA M. K. (Dep. of Physics, Atomic Energy Commission of Syria, P.O. Box 6091, Damascus, Syria)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 8  ページ： 083703  発行年： 2010年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深いトラップの捕獲断面積に対する電場効果が研究されてきた。p型InPにおける正孔トラップのH4_FおよびH5に関する実験結果は印加電場の増加に伴って捕獲断面積が増大するのが確認されている。この増大は深いトラップの種類とピーク温度に依存する。電場が4.1×10⁶から2.4×10⁷V/mに増加すると,H4_Fの捕獲断面積は3倍から20倍だけ増加することが分かった。一方,H5の場合には,電場が8.0×10⁶から2.4×10⁷V/mに増加すると,捕獲断面積は2から5倍増大することが判明した。理論モデルに基づいて,捕獲断面積に対する電場効果を説明することができる。上記のトラップにこのモデルを適用すると,H4_Fは負に帯電した複合体で,H5は正に帯電した複合体であることが結論づけられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  P型半導体 ,  *捕獲中心 ,  *深い準位 ,  断面積 ,  電場効果 ,  正孔 ,  複合欠陥 ,  深準位過渡分光法
準シソーラス用語： 捕獲断面積

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  トラップ ,  捕獲 ,  電場