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J-GLOBAL ID：201002223934053259   整理番号：10A0083353

オンチップのRFパワー検出のためのAlGaAs/GaAs HEMT構造

Design, fabrication and characterization of a Schottky diode on an AlGaAs/GaAs HEMT structure for on-chip RF power detection

著者 (6件)： MUSTAFA Farahiyah (Material Innovations and Nanoelectronics Res. Group, Fac. of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia ...) ,  PARIMON Norfarariyanti (Material Innovations and Nanoelectronics Res. Group, Fac. of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia ...) ,  HASHIM Abdul Manaf (Material Innovations and Nanoelectronics Res. Group, Fac. of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia ...) ,  ABD RAHMAN Shaharin Fadzli (Material Innovations and Nanoelectronics Res. Group, Fac. of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia ...) ,  ABDUL RAHMAN Abdul Rahim (Material Innovations and Nanoelectronics Res. Group, Fac. of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia ...) ,  OSMAN Mohd Nizam (Telekom Res. & Dev., TM Innovation Centre, 63000 Cyberjaya, Selangor, Malaysia)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 47  号： 2  ページ： 274-287  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 超小形回路技術 ,  *検出器 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *HEMT ,  Schottky障壁ダイオード ,  *SHF波 ,  集積回路
準シソーラス用語： オンチップ ,  高周波電力

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： オンチップ ,  RF ,  パワー ,  AlGaAs ,  GaAs ,  HEMT