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J-GLOBAL ID：201002224132824736   整理番号：10A0525306

0.18μmCMOSにおける広帯域,低位相雑音の直交電圧制御リング発振器

A Wideband, Low Phase Noise Quadrature Voltage-Controlled Ring Oscillator in 0.18pm CMOS

著者 (5件)： LINGALA S. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOMAR A. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  POKHAREL R.K. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KANAYA H. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  YOSHIDA K. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 13(SCE2010 1-13)  ページ： 45-49  発行年： 2010年04月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 改良された性能指数(FOM)の単一エンド直交電圧制御リング発振器の設計を示した。粗い精細なステップで,1.23~4.17GHzの周波数同調範囲を示した。0.18μmCMOSで設計され,その測定結果は中心周波数から4MHzオフセットでの-125.8Bc/Hzの位相雑音で,中心周波数3.62GHzでの-163.8Bc/HzのFOMの事実を得た。また,単一エンド発振器のラッチアップを防止するための新しいトポロジーも提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *リング発振器 ,  *位相雑音 ,  性能指数 ,  フィードフォワード ,  VCO【発振器】 ,  ラッチアップ ,  LC回路 ,  超LSI ,  オフセット

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 広帯域 ,  低位相雑音 ,  電圧制御 ,  リング発振器